การเตรียมและศึกษาลักษณะเฉพาะของฟิล์มบางโครเมียมวาเนเดียมไนไตรด์ที่เคลือบด้วยวิธีรีแอคตีฟ ดีซี แมกนีตรอน โคสปัตเตอริง

Abstract

          ฟิลมบางโครเมียมวาเนเดียมไนไตรด (CrVN) ถูกเคลือบดวยวิธีรีแอคตีฟ ดีซีแมกนีตรอนโคสปตเตอริงบนกระจกสไลดและซิลิกอน เพื่อศึกษาผลของกระแสไฟฟาในการสปตเตอรของเปาวาเนเดียม (IV) ตอโครงสรางผลึก ลักษณะพื้นผิวและความหนาของฟลม ดวยเทคนิค XRD และ AFM ตามลําดับ ผลการศึกษาพบวาคากระแสไฟฟาในการสปตเตอรเปาวาเนเดียมมีผลโดยตรงตอโครงสรางผลึก ลักษณะพื้นผิวและความหนาของฟลม ฟลมที่ไดแสดงโครงสรางผลึกของวาเนเดียมไนไตรด ระนาบ(222) (400) และ (404) ความหนาและความหยาบผิวของฟลมที่ไดมีคาในชวง 883 -1048 นาโนเมตร และ 3.75-4.96 นาโนเมตรตามลําดับ            Chromium vanadium nitride (CrVN) thin film was deposited by reactive DC magnetron co-sputtering method on glass slide and silicon. The effect of vanadium sputtering current (IV) on the crystal structure, surface morphology and thickness of thin film were investigated by XRD and AFM techniques, respectively. The result show that the influence of vanadium sputtering current has dominate the crystal structure, surface morphology and thickness of thin film. The as-deposited films were compose of CrVN with (111), (200), (220) planes. The roughness and thickness of the as-deposited films were in the range of 883 to 1048 nm and 3.75 to 4.96 nm, respectively