อิทธิพลของศักย์แอโนดต่อสมบัติเชิงโครงสร้างระดับจุลภาคของฟิล์มบาง ไทเทเนียมไดโบไรด์ที่เตรียมด้วยเทคนิคดีซีแมกนีตรอนสปัตเตอริง
Influence of Anode Bias Voltage on Microstructure Properties of TiB2 Thin Film Prepared by DC Magnetron Sputtering
Keywords:
ดีซีแมกนีตรอนสปัตเตอริง , แอโนดไบแอส , สมบัติเชิงโครงสร้างระดับจุลภาค , สมบัติพลาสมา, DC magnetron sputterin, anode biasing, microstructure properties, plasma propertiesAbstract
งานวิจัยนี้ได้ทำการเตรียมฟิล์มบางไทเทเนียมไดโบไรด์ (TiB2) ด้วยเทคนิคดีซีแมกนีตรอนสปัตเตอริง จากเป้าไทเทเนียมไดโบไรด์ และเคลือบบนแผ่นซิลิกอน (100) เพื่อศึกษาอิทธิพลของการไบแอสศักย์บวกที่ขั้ว แอโนดในช่วง 0 ถึง +125 โวลต์ ที่มีต่อสมบัติของพลาสมา และสมบัติเชิงโครงสร้างของฟิล์มบาง ผลการวัดอัตราการตกสะสมของเป้าไทเทเนียม ไดโบไรด์ด้วยเทคนิคควอตซ์คริสตัลไมโครบาลานซ์พบว่าอัตราการตกสะสมของฟิล์มไม่มีการเปลี่ยนแปลงเมื่อศักย์แอโนดเพิ่มขึ้น นอกจากนี้ยังพบว่าศักย์พลาสมาที่วัดด้วยหัววัดแลงเมียร์ มีแนวโน้มเพิ่มขึ้นตามศักย์แอโนด ในขณะที่อุณหภูมิของอิเล็กตรอน และความหนาแน่นของอิเล็กตรอนไม่มีการเปลี่ยนแปลงสมบัติเชิงโครงสร้างระดับจุลภาคของฟิล์มบางไทเทเนียม ไดโบไรด์ ศึกษาด้วยเทคนิคการลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ พบโครงสร้างของผลึกแบบหกเหลี่ยมที่ระนาบ (001) ของไทเทเนียม ไดโบไรด์และเทคนิคการสะท้อนของรังสีเอกซ์ทำให้ทราบค่าความหนา ความขรุขระ และความหนาแน่นของฟิล์มบาง ไทเทเนียมไดโบไรด์เมื่อศักย์แอโนดเพิ่มขึ้นผลของค่าความหนา และความขรุขระของฟิล์มมีแนวโน้วที่ลดลง ในขณะที่ความหนาแน่นของฟิล์มบางไทเทเนียมไดโบไรด์มีค่าเพิ่มขึ้นอยู่ในช่วง 4.36 ถึง 4.48 กรัมต่อลูกบาศก์เซนติเมตร การเคลือบฟิล์มด้วยเทคนิคการไบแอสที่ขั้วแอโนด ทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงของศักย์พลาสมา และส่งผลโดยตรงต่อพลังงานไอออนที่ระดมชนกับพื้นผิวฟิล์ม และเป็นผลทำให้สมบัติเชิงโครงสร้างระดับจุลภาคของฟิล์มเกิดการเปลี่ยนแปลง In this research, titanium diboride (TiB2) thin film was prepared using DC magnetron sputtering technique. From titanium diboride target and deposited on Si wafer (100). To study the influence of positive anode bias voltage (Va) in the range of 0 to +125 V that affects the plasma properties and structural properties of thin films. The measurement results of TiB2 target deposition rate using quartz crystal micro-balance technique. It was found that the film deposition rate hasn’t changed as the anode bias voltage increased. Furthermore, the plasma potential was measured by the Langmuir probe, the result shows that the plasma potential was increased as the anode bias voltage increased, while the electron temperature (Te) and electron density (ne) haven’t changed. The microstructure of TiB2 has been investigated using X-ray diffraction (XRD). It was found thathexagonal TiB2 structure with (001) preferred orientationand X-ray reflection (XRR) This makes known the thickness, roughness, and density of the TiB2 thin film. when the anode potential increases Effect of thickness value and the roughness of the film has a lower trend, while the density of TiB2 thin film increased in the range of 4.36 to 4.48 g/cm3. The deposited thin film by anode bias voltage technique Causing a change in the plasma potential and this directly affects the ion energy that collides with the film surface. And as a result, the microstructural properties of the film change.References
Alexander, L., & Klug, H. P. J. J. o. A. P. 1950. Determination of crystallite size with the X-Ray spectrometer. Journal of Applied Physics, 21(2), 137-142.
Anders, A. J. T. S. F. 2010. A structure zone diagram including plasma-based deposition and ion etching. Journal of Applied Physics, 518(15), 4087-4090.
Arslan, E., Totik, Y., Celik, A., & Efeoglu, I. J. S. e. 2010. Effect of annealing on adhesion of TiB2 films deposited by pulsed magnetron sputtering. Surface engineering, 26(8), 567-570.
Berger, M., Karlsson, L., Larsson, M., & Hogmark, S. J. T. S. F. 2001. Low stress TiB2 coatings with improved tribological properties. Thin Solid Films, 401(1-2), 179-186.
Bronsgeest, M. 2016. Ion beam sputter deposition. Nov 7, 2016, https://polygonphysics.com/.
Choi, H., Choi, S.-K., Anderson, O., & Bange, K. J. T. S. F. 2000. Influence of film density on residual stress and resistivity for Cu thin films deposited by bias sputtering. Thin Solid Films, 358(1-2), 202-205.
Conde, 2011. An introduction to Langmuir probe diagnostics of plasmas. 1-28.
Hellgren, N., Thörnberg, J., Zhirkov, I., Sortica, M. A., Petrov, I., Greene, J. E., Hultman, L., & Rosen, J. J. V. 2019. High- power impulse magnetron sputter deposition of TiBx thin films: Effects of pressure and growth temperature. Vacuum, 169, 108884.
Kavitha, A., Kannan, R., & Rajashabala, S. J. M. S.-P. 2017. Effect of target power on the physical properties of Ti thin films prepared by DC magnetron sputtering with supported discharge. Materials Science- Poland, 35(1),173-180.
Larsson, T., Blom, H.-O., Berg, S., & Östling, M. J. T. S. F. 1989. Reactive sputtering of titanium boride. Thin Solid Films, 172(1),133-140.
Mattias, B., Mats, L., Surface, H. S. J., & Technology, C. 2000. Evaluation of magnetron-sputtered TiB2 intended for tribological applications. Surface and Coatings Technology, 124(2-3), 253-261.
Mikula, M., Grančič, B., Buršíková, V., Csuba, A., Držík, M., Kavecký, Š., Plecenik, A., & Kúš, P. J. V. 2007. Mechanical properties of superhard TiB2 coatings prepared by DC magnetron sputtering. Vacuum, 82(2), 278-281.
Nelson, G., & Borders, J. 1980. Surface composition and erosion yields for CVD TiB/sub 2/ films subjected to low energy deuterium ion bombardment. Journal of Nuclear Materials
Park, B., Jung, D.-H., Kim, H., Yoo, K.-C., Lee, J.-J., Joo, J. J. S., & Technology, C. 2005. Adhesion properties of TiB2 coatings on nitrided AISI H13 steel. Surface and Coatings Technology, 200(1-4),726-729.
Petrov, I., Hall, A., Mei, A. B., Nedfors, N., Zhirkov, I., Rosen, J., Reed, A., Howe, B., Greczynski, G., Birch, J. J. J. o. V. S., Technology A: Vacuum, S., & Films. 2017. Controlling the boron-to-titanium ratio in magnetronsputter-deposited TiBx thin films. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, Films 35(5), 050601.
Ronald, M. 2000. Material properties of titanium diboride. Journal of Research of the National institute of standards and Technology, 105(5), 709.
Xia, M.-j., Ding, H.-y., Zhou, G.-h., & Zhang, Y. J. T. o. N. M. S. o. C. 2013. Improvement of adhesion properties of TiB2 films on 316L stainless steel by Ti interlayer films. Transactions of Nonferrous Metals Society of China 23(10), 2957-2961.
Yasaka, M. J. T. R. J. 2010. X-ray thin-film measurement techniques. The Rigaku Journal 26(2), 1-9.
Zhang, T. F., Gan, B., Park, S.-m., Wang, Q. M., Kim, K. H. J. S., & Technology, C. 2014. Influence of negative bias voltage and deposition temperature on microstructure and properties of superhard TiB2 coatings deposited by high power impulse magnetron sputtering. Surface and Coatings Technology, 253, 115-122.
Zhao, Y., Lin, G., Xiao, J., Du, H., Dong, C., & Gao, L. J. A. S. S. 2011. Ti/TiN multilayer thin films deposited by pulse biased arc ion plating. Applied Surface Science 257(7), 2683-2688.
Zhirkov, I., Petruhins, A., Naslund, L.-A., Kolozsvári, S., Polcik, P., & Rosen, J. J. A. P. L. 2015. Vacuum arc plasma generation and thin film deposition from a TiB2 cathode. Applied Physics Letters, 107(18), 184103.
